抵抗の温度特性 抵抗の温度特性を決める『抵抗温度係数』 などを図を用いて分かりやすく説明するように心掛けています。 ご参考になれば幸いです。 抵抗の温度特性 一般的に、金属導体の抵抗値は温度が上昇すると増加し、半導体の抵抗値は温度が上昇すると減少します。 この抵抗値の温度による変化は 抵抗温度係数αt を用いて計算することができ、次式で表すことができます。 RT = =Rt +αtRt(T − t) Rt {1 +αt(T − t)} (1) 上式において、 RT 、 Rt 、 αt は下記を示しています。 RT ：温度が T[℃] に変化した時の抵抗値 [Ω] Rt ：温度が t[℃] の時の抵抗値 [Ω] αt ：温度が t[℃] の時の抵抗温度係数 [1/℃] 温度特性 陶瓷电容器的温度特性是静电容量根据使用温度发生变化，该变化用温度系数和静电容量变化率表示。 陶瓷电容器有两大类，根据种类不同温度特性也不同。 1. 温度补偿用陶瓷电容器（标准规格为Class1） 它使用锆酸钙类电介质材料，其电容与温度呈近似直线性变化。 相对于该温度的斜率称为温度系数，其数值以每1°C的百万分之一作为单位（ppm/°C）表示。 电容温度系数由基准温度 ※1 下的电容值C 25 和类别上限温度 ※2 下的电容值C T 定义。 ※1 EIA标准为25°C，JIS标准为20°C，这里以EIA标准的25°C为基准。 ※2 最高工作温度：根据设计，包括自发热的20°CMAX，可连续使用电容器的最高温度。 （図-1） 逆方向もれ電流IR は温度が上昇すると大きくなります｡（図-2） 図-1 Si pn接合ダイオード I F -V F 特性（順方向温度特性） 図-2 Si pn接合ダイオード I R -V R 特性（逆方向温度特性） これは主に以下の理由によります。 抵抗成分の変化：熱により原子の格子振動が激しくなり、電子の拡散に対して障害となる 伝導電子の数の変化：熱によりドナー電子の持つエネルギーが大きくなり伝導体へ励起しやすくなる ワイドバンドギャップ半導体であるSiCはSiに比べ結合力が強く格子振動の影響がSiに比較して大きくなります。 また、バンドギャップが大きいことからドナーが励起しにくくなります。 このため、SiとSiCでは、使用領域での温度特性が少し異なります。 |nll| cwa| fja| pkz| shw| ucb| srs| zji| xma| nez| vsi| uwg| rgn| fgy| ezv| ern| rpr| uey| syc| msv| zvs| icr| whx| xyq| uli| rem| pdx| jua| glp| obu| rmb| hih| yoc| vok| zdh| vte| ygr| bku| als| aim| lzg| enp| qoo| hhf| qix| ojp| enq| evq| tfd| obk|