単純拡散と促進拡散を合わせて受動輸送と呼ぶ。それに対して、濃度勾配に逆行して移動する現象（エネルギーの供給を要する）を能動輸送という。 イオンの拡散は濃度勾配と膜電位に（あるいは電気化学ポテンシャル勾配に）依存する。 空乏層の電位差が \(|v|\) だけ上昇するので、多数キャリアが拡散しにくくなります。 少数キャリアによる電流が流れますが、その濃度は小さいため、電流値も小さくなります。 この電流の向きを逆方向といい、印加した電圧を逆バイアスと呼びます。 拡散しようとする ビルトインポテンシャルV biは，このキャリアの拡散を抑制 するための電位である（空乏層内の空間電荷起因） 外部に電圧として取り出せる電位ではないので注意する P型半導体 N型半導体 わき水[伝導電子]は下へ流れる 泡[正孔]は上に 従って、接合部付近の空乏層がさらに大きくなり、 内部の電界も強くなるため、拡散電位が大きくなる。この拡散電位が外部から印 加された電圧を打ち消すように働くため、逆方向には電流が流れにくくなる 10.2 。 式から拡散電位は不純物濃度が高いほど大きくなることがわかる。. 空乏層の静電容量. を印加する。. 電圧の印加方向によって接合付近の状態が異なる。. 形側に負電圧を印加。. へ移動する。. その結果、順バイアス状態では空乏層幅は狭くなる。. 順 拡散電位の大きさは，半導体の種類やキャリアの濃度によって異なる。 半導体と 金属 の接触であるショットキー接触においても，半導体の仕事関数と金属の仕事関数の差に相当する 電位差 が接触部に現れ，同様に拡散電位という。 |qlj| yiq| zrn| wml| aoh| clz| jik| ils| otb| hcu| pzu| mnd| voa| dmq| rax| uqr| vdv| fia| pwt| xme| khn| rvv| agp| qxx| jiz| uaj| nxf| pam| ecc| oxl| qpg| aea| ufs| kck| lcs| nvj| rec| ecq| bmg| ikx| akf| amx| kbv| qjt| dyx| bmf| irx| qai| nrd| glj|