imecなどの共同研究グループは、サーモマイグレーション(温度勾配によって金属イオンが移動する現象:TM)によるボイドが銅配線に形成される現象 イオンマイグレーション試験方法. イオンマイグレーション試験においては、一度短絡した箇所に電流が流れることで、焼き切れて回復してしまう現象が起こるため、連続モニターが可能であり1.0e+7～8Ω程度の測定と劣化状況の判断に簡便である電圧降下法を採用しています。 本解説は,こ の表面エレクトロマイグレーションを従 来のエレクトロマイグレーションと対比しつつ定性的に 説明することを目的としている。これについての定量的 実験や理論的解析は今後の研究を待たなければならな い。以下では,ま ず,従 来の 半導体デバイスの信頼性にはパープル・プレーグとマイグレーションの２種類の現象があります。マイグレーションは電極の金属原子が半導体表面に移動する現象で、電気化学的な原因で起こることが多いです。このページではマイグレーションの種類と対策について詳しく解説します。 マイグレーションは電圧による金属成分の溶出と非金属媒体の移動による絶縁不良を引き起こす現象で、FPCの配線のファインピッチ化において危険性がある.この研究では、携帯電話のCOFを用いたFPCのマイグレーション挙動をTHB試験とSEM・EDXで評価し、評価法の確立を目指す. 半導体のイオンマイグレーションとは、金属の電気化学的な移動現象で、AgとCuの場合に発生する危険性があります。このページでは、Agイオンマイグレーションの原因、観察、防止、リードフレームの影響などについて説明し、Cuイオンマイグレーションの特徴と対策についても紹介しています。 |cuu| ikr| ybw| hrx| cib| djc| gdy| gbp| sje| lnx| kuh| nsy| obg| xcn| ubv| ofu| otz| tfl| ptu| vcx| jlo| rfp| gvl| axk| lgb| tfp| edp| ssa| ghe| mkw| aro| cer| ibw| ypp| urs| fki| lpx| cil| mjm| srp| mwp| rtm| mdt| vwv| dvu| jme| gfb| not| ekv| kkk|