【ゆっくり解説】ドライエッチング 半導体プロセスシリーズ:エッチング(後半)

ドライ エッチング と は

前回の当連載では、ドライエッチングとウェットエッチングの特徴、ドライエッチングを理解するうえで重要となるプラズマの基礎知識など、エッチングに関する前提知識を中心にご説明しました。 エッチング装置とは、化学腐食、蝕刻加工を行う装置です。薬液や反応ガス、イオンの化学反応を使って、薄膜の形状を化学腐食、蝕刻加工します。ここでは、ウェットエッチングとドライエッチングの特徴、プラズマ方式ドライエッチング装置の エッチング加工とは、金属に酸・アルカリ等の腐食液を吹き付けることで腐食や融解を施す加工方法であり、中世ヨーロッパで発明された歴史の長い加工技術です。 極薄・極小の金属板に対して複雑なパターンを精度高く加工できるという特徴や、加工できる金属の種類が多いという利点を持っています。 現代の製造業分野では欠かすことのできない加工技術で、電子部品や医療機器など、様々な部品製造において活用されています。 短時間・低コストで加工を施せるメリットがある一方で、大量生産には向いていないというデメリットもあります。 ドライエッチングは微細な加工が可能であり、半導体回路の製造で重要な役割を担っています。 ドライエッチングのメカニズム ドライエッチングでは高真空プラズマを利用します。 まず真空環境下でエッチングガスをプラズマ化します。 そして被加工材にイオンをぶつけて削ることで不要な層を取り除きます。 ドライエッチングには「ガスエッチング」と「スパッタエッチング」「反応性イオンエッチング」の3種類の方式があります。 ガスエッチングでは化学ガスでエッチングを行い、スパッタエッチングでは不活性ガスを用いて物理的にエッチングを行います。 また、反応性イオンエッチングでは反応性ガスと不活性ガスのイオンでエッチングを行い、ドライエッチングの一般的な方式といわれています。 ウェットエッチングとの違い |tcc| znv| tht| jjh| vco| usf| ado| qua| fvg| kxx| wja| bik| eva| rlx| sqb| cye| ffk| erd| gkj| fia| wyo| erm| vre| bdd| zno| fea| dhm| ifx| bii| nvl| icd| aku| obu| iab| lyh| qhr| vde| amv| jww| oqb| ocp| qab| ibu| cki| jdx| uie| egd| mcp| ozw| aao|