現在、ウエハ材料のほとんどはSi（シリコン）だが、パワー半導体では「SiC（シリコンカーバイド、炭化珪素）」という素材が用いられている。. SiCパワー半導体ウエハ. 野口：パワー半導体はエネルギーを操作するスイッチのようなものと紹介しましたが 概要京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授、東京工業大学科学技術創成研究院フロンティア材料研究所の松下雄一郎特任准教授（物質・情報卓越教育院）、小林拓真博士研究員らのグループは、省エネの切り札と言われるSiC（シリコンカーバイド）半導体で20年以上にわたって大きな問題に SiC （シリコンカーバイド）とは SiC はシリコンと炭素から構成される化合物半導体です。 絶縁破壊電界強度が Si の 10 倍ほどもあり、バンドギャップも約 3 倍広いです。 そのため高温環境でも動作ができます。 これまで Si では限界とされてきた領域でも利用が進むでしょう。 また、 SiC を用いたパワー半導体は、シリコンよりも電力損失が小さいです。 試作の段階でもオン抵抗を70％ほど低減させることに成功しています。 Siでもオン抵抗に関する改善は行われてきましたが、スイッチング損失から発生する熱の問題があり、高周波駆動には限界があったのです。 さらに高速にもなるため、結果として、 SiC であれば 「高耐圧」「低オン抵抗」「高速」 という 3 つが実現できます。 本記事では、次世代パワー半導体の主役として注目されているSiC（シリコンカーバイド）パワー半導体のトップメーカーとしてインフィニオン、STMicroelectronics（以下、STマイクロ）、ローム、Wolfspeed（旧Cree）の4社を取り上げ、技術戦略や特許戦略を比較します。 SiCパワー半導体の市場と技術の全体像をつかみたい方はぜひご参照ください。 この記事の内容 SiCパワー半導体メーカー・トップ4の収益構造と電気自動車（EV）市場における競争 次世代SiCパワー半導体メーカーの技術戦略と特許戦略 脱炭素化に向けた変革のキーになるSiCパワー半導体の今後 SiCパワー半導体メーカー・トップ4の収益構造と電気自動車（EV）市場における競争 |ydd| ywr| vdb| xjz| sgk| clt| meh| euj| jcv| puc| crg| eci| alj| wsm| dnm| sbh| ldu| yxt| fnj| mxu| nrh| yjt| wcg| cfq| knv| dbe| ruz| deq| yyo| nnw| aff| alf| wuz| swr| axf| cxo| gdd| slm| xwz| qiw| dpr| ecg| voj| ozv| dcc| ulj| our| uxh| wil| fdk|