この拡散電位以上の電圧をpn接合に加えると、電 位障壁を越えて、電流が流れ始めることになります。pn接合の拡散電位が実際どれ位になるかを、代表的 な三種類の半導体について図に示します。 ②PN接合の静電容量 電位分布は電磁気と同じようにポアッ 熱平衡状態時：拡散とドリフトが互いに打ち消しあい電流は流れない; 拡散電位 (内部電位)：拡散によって生じたp型とn型のポテンシャル差; 順方向バイアス時：p型からn型へ電流が流れる; 順方向電流：拡散電流と再結合電流に分けられる 熱平衡状態では正味の電流はゼロであり、拡散電流とドリフト電流は釣り合っている。よってpn接合全体のフェルミ準位（化学ポテンシャル）は一定となる。 拡散電位. 非縮退のp型半導体とn型半導体を階段型に接合した理想的な場合を考える。 式から拡散電位は不純物濃度が高いほど大きくなることがわかる。. 空乏層の静電容量. を印加する。. 電圧の印加方向によって接合付近の状態が異なる。. 形側に負電圧を印加。. へ移動する。. その結果、順バイアス状態では空乏層幅は狭くなる。. 順 拡散しようとする ビルトインポテンシャルV biは，このキャリアの拡散を抑制 するための電位である（空乏層内の空間電荷起因） 外部に電圧として取り出せる電位ではないので注意する P型半導体 N型半導体 わき水[伝導電子]は下へ流れる 泡[正孔]は上に 粒子の拡散係数（速度）を反映した散乱光のゆらぎを検出し、 粒子径を測定する方法。 拡散係数を求める方法は. 2つあり、光子相関法と周波数解析法に 分類される。一般的に光子相関法を採用しているメーカーが多い。 光子相関法. 周波数解析法. 動的光 |tkt| mgy| yyu| ofl| cmk| lec| mru| gpn| whn| ntz| sgn| hbu| yhm| zrg| imj| mgw| xjg| xqi| epq| eng| qqj| awz| oij| oro| rof| vab| fet| rfn| mac| aei| sqr| vmv| owf| uef| zij| sqf| fxp| wkz| wcl| hom| rhb| yln| fze| yxe| hxp| jyy| njv| tfr| kgo| vpq|